与上一代三星DRAM产品相比12nmDRAM功耗降低约23%

，三星电子今天宣布，已经成功开发了其首款采用12纳米技术的16Gb DDR5 DRAM，并完成了与AMD兼容性的产品评估。

图来自三星电子，下同

三星表示，这一技术突破是通过使用一种新的高介电材料来增加电池电容，并改善关键电路特性的专利设计技术来实现的。

三星数据显示，结合先进的多层极紫外光刻技术，新的DRAM拥有三星最高的管芯密度，可将晶圆生产率提高20%。

基于DDR5的最新标准，三星的12纳米DRAM将解锁高达每秒7.2千兆位的速度，这意味着一秒钟可以处理两部30GB的超高清电影。

能效方面，与上一代三星DRAM产品相比，12nm DRAM功耗降低约23%。

本站了解到，伴随着2023年新型DRAM的量产，三星计划将这款基于先进12nm制程技术的DRAM产品扩展到更广阔的市场。

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