与上一代三星DRAM产品相比12nmDRAM功耗降低约23%
时间:2022-12-21 10:32 来源:IT之家 作者:子墨 阅读量:6853
,三星电子今天宣布,已经成功开发了其首款采用12纳米技术的16Gb DDR5 DRAM,并完成了与AMD兼容性的产品评估。
图来自三星电子,下同
三星表示,这一技术突破是通过使用一种新的高介电材料来增加电池电容,并改善关键电路特性的专利设计技术来实现的。
三星数据显示,结合先进的多层极紫外光刻技术,新的DRAM拥有三星最高的管芯密度,可将晶圆生产率提高20%。
基于DDR5的最新标准,三星的12纳米DRAM将解锁高达每秒7.2千兆位的速度,这意味着一秒钟可以处理两部30GB的超高清电影。
能效方面,与上一代三星DRAM产品相比,12nm DRAM功耗降低约23%。
本站了解到,伴随着2023年新型DRAM的量产,三星计划将这款基于先进12nm制程技术的DRAM产品扩展到更广阔的市场。
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